Personnel

Profesör Doktor PINAR DOĞAN
Profesör Doktor
Pınar Doğan
@ E-mail
pinardogan@mu.edu.tr
Phone
0252 211 5543

Staff of

Place of Duty

Mühendislik Fakültesi / Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü / Elektronik Anabilim Dalı

Regular Staff

Mühendislik Fakültesi / Elektrik Elektronik Mühendisliği Bölümü / Elektronik Anabilim Dalı

Education

Bachelor's Degree

Izmir Institute of Technology Faculty of Science Physics 14.06.2002

Master's Degree

Izmir Institute of Technology Faculty of Science Physics 01.09.2005

Doctorate

Berlin Technical University Faculty of Electrical and Electronics Engineering Physics 07.12.2011

Academic Publishing

(A-1) Articles published in journals indexed by SCI or SCI Expanded, SSCI, AHCI

1-) Jahn, U., Musolino, M., Laehnemann, J., Doğan, P., Fernandez Garrido, S., Wang, J., Xu, K., Cai, D., Bian, L., Gong, X., Yang, H., 2016. The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures. Semiconductor Science and Technology
2-) Pfüller, C., Corfdir, P., Hauswald, C., Flissikowski, T., Kong, X., Zettler, J.K., Fernandez, S., Doğan, P., Grahn, H.T., Trampert, A., Geelhaar, L., Brandt, O., 2016. Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111. Physical Review B
3-) Kaganer, V.M., Fernandez Garrido, S., Doğan, P., Sabelfeld, K., Brandt, O., 2016. Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence. NanoLetters
4-) Gong, X., Dogan, P., Zhang, X., Jahn, U., Xu, K., Bian, L., Yang, H., 2014. Atomic-scale behavior of adatoms in axial and radial growth of GaN nanowires: Molecular dynamics simulations . Japanese Journal of Applied Physics
5-) Laehnemann, J., Jahn, U., Brandt, O., Flissikowski, T., Doğan, P., Grahn, H.T., 2014. Luminescence associated with stacking faults in GaN . Journal of Physics D: Applied Physics
6-) Sabelfeld, K.K., Kaganer, V.M., Limbach, F., Doğan, P., Brandt, O., Geelhaar, L., Riechert, H., 2013. Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder . Applied Physics Letters
7-) Kaganer, V.M., Jenichen, B., Brandt, O., Fernandez, S., Doğan, P., Geelhaar, L., Riechert, H., 2012. Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles. Physical Review B
8-) Laehnemann, J., Brandt, O., Jahn, U., Pfueller, C., Roder, C., Doğan, P., Grosse, F., Belabbes, A., Bechstedt, F., Trampert, A., Geelhaar, L., 2012. Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN . Physical Review B
9-) Jenichen, B., Brandt, O., Pfüller, C., Doğan, P., Knelangen, M., Trampert, A., 2011. Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) . Nanotechnology
10-) Gao, C.X., Farshchi, R., Roder, C., Dogan, P., Brandt, O., 2011. GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si . Physical Review B
11-) Doğan, P., Brandt, O., Pfüller, C., Lähnemann, J., Jahn, U., Roder, C., Trampert, A., Geelhaar, L., Riechert, H., 2011. Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy . Crystal Growth and Design
12-) Doğan, P., Brandt, O., Pfüller, C., K., A., Geelhaar, L., Riechert, H., 2011. GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy . Journal of Crystal Growth
13-) Gorka, B., Rau, B., Doğan, P., Becker, C., Ruske, F., Gall, S., Rech, B., 2009. Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells. Plasma Processes and Polymers
14-) Gall, S., Becker, C., Conrad, E., Doğan, P., Fenske, F., Gorka, B., Lee, K., Rau, B., Ruske, F., Rech, B., 2009. Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass . Solar Energy Materials and Solar Cells
15-) Becker, C., Conrad, E., Doğan, P., Fenske, F., Gorka, B., Hänel, T., Lee, K.Y., Rau, B., Ruske, F., Weber, T., Berginski, M., Hüpkes, J., Gall, S., Rech, B., 2009. Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells . Solar Energy Materials and Solar Cells
16-) Rau, B., Weber, T., Gorka, B., Dogan, P., Fenske, F., Lee, K., Gall, S., Rech, B., 2009. Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass. Materials Science and Engineering B- Advanced Functional Solid-State Materials
17-) Van Gestel, D., Dogan, P., Gordon, I., Bender, H., Lee, K.Y., Beaucarne, G., Gall, S., Poortmans, J., 2009. Investigation of intragrain defects in pc-Si layers obtained by aluminum-induced crystallization: comparison of layers made by low and high temperature epitaxy. Materials Science and Engineering B- Advanced Functional Solid-State Materials
18-) Dogan, P., Rudigier, E., Fenske, F., Lee, K., Gorka, B., Rau, B., Conrad, E., Gall, S., 2008. Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation. Thin Solid Films
19-) Gorka, B., Dogan, P., Sieber, I., Fenske, F., Gall, S., 2007. Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation. Thin Solid Films
20-) Ozdag, P., Atanassova, E., Gunes, M., 2005. The effects of oxide thickness on the interface and oxide properties of metal-tantalum pentoxide-Si (MOS) capacitors. Journal of Optoelectronics and Advanced Materials

(B-1) Papers verbally presented or published in scientific and art meetings like international conferences, symposiums, panels, and workshops

1-) Dogan P., Brandt O., Hauswald C., Calarco R., Trampert A., Geelhaar L., Riechert H., 2012. Influence of nanowire template morphology on the coalescence overgrowth of GaN nanowires on Si by molecular beam epitaxy. SPIE Photonics West OPTO 2012
2-) P. Dogan, O. Brandt, C. Pfueller, C. Roder, J. Laehnemann, A. K. Bluhm, A. Trampert, L. Geelhaar and H. Riechert, “Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy” Sino-German Workshop, Berlin, Germany - 2010
3-) Sontheimer, T., Doğan, P., Becker, C., Gall, S., Rech, B., Schubert, U., Young, T., Partlin, S., Keevers, M., Egan, R., 2009. 6.7% Efficient Poly-Si Thin Film Mini-Modules by High-Rate Electron-Beam Evaporation. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference
4-) Egan, R., Keevers, M., Schubert, U., Young, T., Evans, R., Partlin, S., Wolf, M., Schneider, J., Hogg, D., Eggleston, B., Green, M., Falk, F., Gawlik, A., Andrä, G., Werner, M., Hagendorf, C., Doğan, P., Sontheimer, T., Gall, S., 2009. CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon. 24th European Photovoltaic Solar Energy Conference
5-) C. Becker, P. Dogan, F. Ruske, B. Gorka, A. Sánchez-Vicens, E. Conrad, S. Gall and B. Rech, “Solid phase crystallized silicon thin-film solar cells on temperature-stable ZnO:Al contact layers”, Proceedings of the 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Valencia, Spain, 2045-2048 - 2008
6-) K. Y. Lee, P. Dogan, F. Ruske, B. Gorka, S. Gall, and B. Rech, “The properties of Poly-Si films grown on Zno:Al coated borofloat glass by aluminum-induced layer exchange (ALILE) process”, Proceedings of the 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Valencia, Spain, 2261-2264 - 2008
7-) Lee K. Y., Dogan P., Ruske F., Gorka B., Gall S., Rech B., 2008. The properties of Poly Si films grown on Zno Al coated borofloat glass by aluminum induced layer exchange ALILE process. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference
8-) Becker C., Dogan P., Ruske F., Gorka B., Sánchez-vicens A., Conrad E., Gall S., Rech B., 2008. Solid phase crystallized silicon thin film solar cells on temperature stable ZnO Al contact layers. 23rd European Photovoltaic Solar Energy Conference
9-) Dogan P., Fenske F., Lee K.y., Gorka B., Gall S., Rech B., 2008. Low Temperature Epitaxy of Si by E Beam Evaporation for Polycrystalline Si Thin Film Solar Cells. NANOMAT 2008
10-) Dogan P., Fenske F., Scheller L.-p., Lee K. Y., Gorka B., Rau B., Conrad E., Gall S., Rech B., 2007. Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E beam evaporation. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
11-) P. Dogan, F. Fenske, L.-P. Scheller, K. Y. Lee, B. Gorka, B. Rau, E. Conrad, S. Gall, B. Rech, “Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation”, Proceedings of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, 2019-2023 - 2007
12-) S. Gall, K.Y. Lee, P. Dogan, B. Gorka, C. Becker, F. Fenske, B. Rau, E. Conrad, B. Rech, “Large-Grained Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass”, Proceedings of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, 2005-2009 - 2007
13-) B. Rau, K.Y. Lee, P. Dogan, F. Fenske, E. Conrad, S. Gall, “Improvement Of Epitaxially Grown Poly-Si Thin-Film Solar Cells On Glass By Rapid Thermal Annealing”, Proceedings of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, 2010-2014 - 2007
14-) C. Becker, E. Conrad, P. Dogan, F. Fenske, B. Gorka, T. Hänel, K. Y. Lee, B. Rau, F. Ruske, T. Weber, M. Berginski, J. Hüpkes, S. Gall and B. Rech, “Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells”, Technical Digest of the 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Fukuoka, Japan, 1122-1123 - 2007
15-) Rau B., Lee K.y., Dogan P., Fenske F., Conrad E., Gall S., 2007. Improvement Of Epitaxially Grown Poly Si Thin Film Solar Cells On Glass By Rapid Thermal Annealing. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
16-) Gall S., Lee K.y., Dogan P., Gorka B., Becker C., Fenske F., Rau B., Conrad E., Rech B., 2007. Large Grained Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells On Glass. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
17-) Becker C., Conrad E., Dogan P., Fenske F., Gorka B., Hänel T., Lee K. Y., Rau B., Ruske F., Weber T., Berginski M., Hüpkes J., Gall S., Rech B., 2007. Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO Al For Thin Film Solar Cells. 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
18-) B. Gorka, B. Rau, K.Y. Lee, P. Dogan, F. Fenske, E. Conrad, S.Gall, B. Rech, “Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment” Proceedings of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, 2024-2027 - 2007
19-) S. Gall, C. Becker, E. Conrad, P. Dogan, F. Fenske, B. Gorka, K.Y. Lee, B. Rau, F. Ruske, B. Rech, “Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass”, Technical Digest of the 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference, Fukuoka, Japan, 343-344 - 2007
20-) Gorka B., Rau B., Lee K.y., Dogan P., Fenske F., Conrad E., Gall S., Rech B., 2007. Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
21-) Gordon I., Van Gestel D., Carnel L., Beaucarne G., Poortmans J., Lee K.y., Dogan P., Gorka B., Becker C., Fenske F., Rau B., Gall S., Rech B., Plentz J., Falk F., Le Bellac D., 2007. Advanced Concepts For Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells. 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference
22-) Gall S., Becker C., Conrad E., Dogan P., Fenske F., Gorka B., Lee K.y., Rau B., Ruske F., Rech B., 2007. Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells On Glass. 17th International Photovoltaic Science and Engineering Conference
23-) I. Gordon, D. Van Gestel, L. Carnel, G. Beaucarne, J. Poortmans, K.Y. Lee, P. Dogan, B. Gorka, C. Becker, F. Fenske, B. Rau, S. Gall, B. Rech, J. Plentz, F. Falk, D. Le Bellac, “Advanced Concepts For Thin-Film Polycrystalline-Silicon Solar Cells”, Proceedings of the 22nd European Photovoltaic Solar Energy Conference, Milan, Italy, 1890-1894 - 2007
24-) Gall S., Berghold J., Conrad E., Dogan P., Fenske F., Gorka B., Lips K., Muske M., Petter K., Rau B., Schneider J., Sieber I., 2006. Large Grained Polycrsytalline Silicon On Glass For Thin Film Solar Cells. 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference
25-) S. Gall, J. Berghold, E. Conrad, P. Dogan, F. Fenske, B. Gorka, K. Lips, M. Muske, K. Petter, B. Rau, J. Schneider, I. Sieber, “Large-Grained Polycrsytalline Silicon On Glass For Thin-Film Solar Cells”, Proceedings of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, 1091-1094 - 2006
26-) P. Dogan, B. Gorka, L. Scheller, I. Sieber, F. Fenske, S. Gall, “Low-temperature epitaxy of silicon by using electron beam evaporation”, Proceedings of the 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference, Dresden, Germany, 1060-1063 - 2006
27-) Dogan P., Gorka B., Scheller L., Sieber I., Fenske F., Gall S., 2006. Low temperature epitaxy of silicon by using electron beam evaporation. 21st European Photovoltaic Solar Energy Conference

(B-2)

1-) Kaganer Vladimir, Fernandezgarrido Sergio, Doğan Pınar, Sabelfeld Karl, Brandt Oliver, 2015. Coalescence of spontaneously formed GaN nanowires in plasma assisted molecular beam epitaxy. Nanowires Growth Workshop 2015
2-) P. Dogan, O. Brandt, C. Pfüller, C. Roder, J. Lähnemann, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert, “Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy”, PDI Annual Report - 2010
3-) Dogan P., Brandt O., Pfueller C., Roder C., Laehnemann J., Bluhm A. K., Trampert A., Geelhaar L., Riechert H., 2010. Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si 111 by molecular beam epitaxy. Sino-German Workshop 2010
4-) J. Lähnemann, U. Jahn, O. Brandt, C. Roder, P. Dogan, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert, “Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of stacking faults in laterally overgrown GaN nanowires”, PDI Annual Report - 2010

(B-3)

1-) Kasapoğlu Ahmet Emre, Koçak Yusuf, Gür Emre, Doğan Pınar, 2017. MBE grown GaN Nanowires on Si (111) Substrate Temperature Dependence. NanoTr-13
2-) Kaganer V., Fernandez-garrido S., Doğan Pınar, Sabelfeld K., Brandt O., 2016. Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence. PDI Annual Report 2016
3-) Jahn U., Musolino M., Laehnemann J, Fernandez-garrido S., Doğan Pınar, Wang J. F., Cai D., Bian L. F., Xu K., 2015. GaN on Si: A combined growth approach using molecular beam epitaxy and hydride vapor phase epitaxy. PDI Annual Report 2015
4-) Kaganer V., Jenichen B., Brandt O., Fernandez-garrido S., Doğan Pınar, Geelhaar L., 2012. Inhomogeneous Strain in GaN Nanowires Determined from X-Ray Diffraction Peak Profiles. PDI Annual Report 2012
5-) Laehnemann J, Brandt O, Jahn U., Pfüller C., Roder C., Doğan Pınar, Grosse F., Belabbes A., Bechstedt F., Trampert A., Geelhaar L., 2012. Determination of the Spontaneous Polarization of GaN. PDI Annual Report 2012
6-) P. Dogan, O. Brandt, L. Geelhaar, H. Riechert, “Evolution of the GaN nanowire orientation distribution monitored in-situ by reflection high-energy electron diffraction”, PDI Annual Report - 2011
7-) Doğan, P., Brandt, O., Geelhaar, L., Riechert, H., 2011. Reflection High Energy Electron Diffraction Phi Scans for the In-situ Monitoring of the Growth of GaN Nanowires on Si. European Project Meeting (SINOPLE) and Workshop on III-Nitrides-Growth, Characterization and Simulation
8-) B. Jenichen, O. Brandt, P. Dogan, C. Pfueller, M. Knelangen, A. Trampert, “Orientation distribution and residual strain of GaN nanowires”, PDI Annual Report - 2011
9-) Jenichen B., Brandt O., Dogan P., Pfueller C., Knelangen M., Trampert A., 2011. Orientation distribution and residual strain of GaN nanowires. Paul Drude Institute Annual Report 2011
10-) Dogan P., Brandt O., Geelhaar L., Riechert H., 2011. Evolution of the GaN nanowire orientation distribution monitored in situ by reflection high energy electron diffraction. Paul Drude Institute Annual Report 2011
11-) Dogan P., Brandt O., Pfueller C., Laehnemann J., Jahn U., Roder C., Trampert A., Geelhaar L., Riechert H., 2011. Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si by plasma assisted molecular beam epitaxy. Sino-German Workshop 2011
12-) Dogan P., Brandt O., Geelhaar L., Riechert H., 2011. Reflection High Energy Electron Diffraction Phi Scans for the In situ Monitoring of the Growth of GaN Nanowires on Si. 16th Euro-MBE Workshop
13-) Dogan P., Brandt O., Pfüller C., Roder C., Lähnemann J., Trampert A., Geelhaar L., Riechert H., 2010. Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si 111 by molecular beam epitaxy. Paul Drude Institute Annual Report 2010
14-) J. Lähnemann, U. Jahn, O. Brandt, C. Roder, P. Dogan, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert, “Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of stacking faults in laterally overgrown GaN nanowires”, PDI Annual Report - 2010
15-) Laehnemann J., Jahn U., Brandt O., Roder C., Dogan P., Trampert A., Geelhaar L., Riechert H., 2010. Cathodoluminescence imaging and spectroscopy of stacking faults in laterally overgrown GaN nanowires. Paul Drude Institute Annual Report 2010
16-) P. Dogan, O. Brandt, C. Pfüller, C. Roder, J. Lähnemann, A. Trampert, L. Geelhaar, H. Riechert, “Pendeoepitaxial overgrowth and coalescence of GaN nanowires on Si(111) by molecular beam epitaxy”, PDI Annual Report - 2010
17-) Becker C., Doğan Pınar, Gorka B., Ruske F., Haenel T., Behrends J., Fenske F., Lips K., Gall S., Rech B., 2008. Polycrystalline Silicon Thin-film Solar Cells on ZnO: Al Coated Glass. MRS 2008
18-) P. Ozdag, E. Atanassova, M. Gunes, “Electronic Properties of Tantalum Pentoxide Insulating Layers in MOS Capacitors”, 13th International School on Condensed Matter Physics- Physics and Technology of Solid State and Soft Condensed Matter, 30 August-03 September 2004, Varna, Bulgaria - 2004

(B-5)

1-) Dogan Pinar, Brandt Oliver, Calarco Raffaella, Geelhaar Lutz, Riechert Henning, 2014. Growth of GaN Nanowires by Molecular Beam Epitaxy for LED Applications. Yogun Madde Fizigi Izmir Toplantisi 2014

(C-3) Book Chapters published by publishing houses internationally renowned in the relevant field

1-) Doğan, P., Chèze, C., Calarco, R., 2015. Semiconductor nanowires Materials, synthesis, characterization and applications III–V semiconductor nanowires: Nitrides (N-based; III-N). Yayın Evi: Woodhead Publishing Editör Adı: Jordi Arbiol, Qihua Xiong and Laura Pugh

(D-10) Referee in journals indexed by SCI or SCI-Expanded, SSCI and AHCI

1-) Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences. 2019. Hakemlik Sayısı: 1
2-) Turkish Journal of Electrical Engineering. 2019. Hakemlik Sayısı: 1
3-) Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences. 2019. Hakemlik Sayısı: 1
4-) Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences. 2018. Hakemlik Sayısı: 1
5-) Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences. 2018. Hakemlik Sayısı: 1
6-) Electrochemical and Solid State Letters - 2011
7-) Electrochemical and Solid State Letters. 2011. Hakemlik Sayısı: 1
8-) Electrochemical and Solid State Letters. 2011. Hakemlik Sayısı: 1
9-) Electrochemical and Solid State Letters. 2010. Hakemlik Sayısı: 1
10-) Electrochemical and Solid State Letters. 2010. Hakemlik Sayısı: 1
11-) Electrochemical and Solid State Letters - 2010
12-) Electrochemical and Solid State Letters - 2009

(D-13)

1-) TEYDEB Proje Değerlendirmesi. 2019. Hakemlik Sayısı: 1
2-) 320x240 piksel RGB AMOLED Aviyonik Ekran Geliştirilmesi. 2015. Hakemlik Sayısı:

(D-5)

1-) Editörlük Türü: Dergi. 2018. Türkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences.

(D-7)

1-) Editörlük Türü: Dergi. 2021. Mugla Journal of Science and Technology.
2-) Editörlük Türü: Dergi. 2020. Mugla Journal of Science and Technology.
3-) Editörlük Türü: Dergi. 2019. Mugla Journal of Science and Technology.

(E-1)

1-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 2
2-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 7
3-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 5
4-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 1
5-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 2
6-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 1
7-) The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 1
8-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 7
9-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2023 Atıf Sayısı: 8
10-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 3
11-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1
12-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1
13-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1
14-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1
15-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1
16-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 2
17-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 3
18-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 6
19-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 9
20-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 2
21-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 4
22-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 7
23-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 5
24-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 7
25-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 2
26-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 2
27-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 1
28-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 3
29-) Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 2
30-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 5
31-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 2
32-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 1
33-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 5
34-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 3
35-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 4
36-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 1
37-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 1
38-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 3
39-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 4
40-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 5
41-) Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 1
42-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2020 Atıf Sayısı: 1
43-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 5
44-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 14
45-) Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 3
46-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
47-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
48-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 3
49-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 2
50-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 4
51-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 3
52-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 3
53-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 5
54-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
55-) Influence of nanowire template morphology on the coalescence overgrowth of GaN nanowires on Si by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
56-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
57-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 9
58-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 4
59-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
60-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 4
61-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
62-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
63-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 2
64-) Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 2
65-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
66-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 3
67-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 2
68-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 2
69-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 4
70-) Nature of excitons bound to inversion domain boundaries Origin of the 3 45 eV luminescence lines in spontaneously formed GaN nanowires on Si 111 - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 2
71-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 7
72-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 4
73-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 5
74-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
75-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
76-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 14
77-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
78-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 3
79-) Atomic-scale behavior of adatoms in axial and radial growth of GaN nanowires: Molecular dynamics simulations - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
80-) The hydride vapor phase epitaxy of GaN on silicon covered by nanostructures - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
81-) The effects of oxide thickness on the interface and oxide properties of metal-tantalum pentoxide-Si (MOS) capacitors - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
82-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
83-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 3
84-) Semiconductor nanowires Materials, synthesis, characterization and applications III–V semiconductor nanowires: Nitrides (N-based; III-N) - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
85-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 2
86-) 6.7% Efficient Poly-Si Thin Film Mini-Modules by High-Rate Electron-Beam Evaporation - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
87-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 3
88-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 17
89-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 10
90-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 4
91-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 17
92-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 3
93-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 6
94-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 7
95-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
96-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
97-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 3
98-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 6
99-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 4
100-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 6
101-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 3
102-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 10
103-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
104-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 5
105-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 5
106-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 4
107-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 2
108-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 2
109-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
110-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 2
111-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
112-) Large Grained Polycrsytalline Silicon On Glass For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 2
113-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 5
114-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 5
115-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 15
116-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 8
117-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 3
118-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 4
119-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 5
120-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
121-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 8
122-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 4
123-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
124-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
125-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
126-) Investigation of intragrain defects in pc-Si layers obtained by aluminum-induced crystallization: comparison of layers made by low and high temperature epitaxy - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 2
127-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 8
128-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 2
129-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 3
130-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 6
131-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 3
132-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 2
133-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
134-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 6
135-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 11
136-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 4
137-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 8
138-) Low temperature epitaxy of silicon by using electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
139-) Advanced Concepts For Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
140-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 6
141-) 6.7% Efficient Poly-Si Thin Film Mini-Modules by High-Rate Electron-Beam Evaporation - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
142-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
143-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 2
144-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
145-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 5
146-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 3
147-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 2
148-) GaN nanowire templates for the pendeoepitaxial coalescence overgrowth on Si(111) by molecular beam epitaxy - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 4
149-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 2
150-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 2
151-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 4
152-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
153-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
154-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 3
155-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
156-) Investigation of intragrain defects in pc-Si layers obtained by aluminum-induced crystallization: comparison of layers made by low and high temperature epitaxy - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
157-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
158-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 3
159-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
160-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
161-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 3
162-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 12
163-) Solid phase crystallized silicon thin film solar cells on temperature stable ZnO Al contact layers - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
164-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
165-) Advanced Concepts For Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
166-) Polycrystalline Silicon Thin-film Solar Cells on ZnO: Al Coated Glass - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
167-) Low temperature epitaxy of silicon by using electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
168-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 7
169-) 6.7% Efficient Poly-Si Thin Film Mini-Modules by High-Rate Electron-Beam Evaporation - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 2
170-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
171-) 6.7% Efficient Poly-Si Thin Film Mini-Modules by High-Rate Electron-Beam Evaporation - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 1
172-) CSG Minimodules Using Electron-Beam Evaporated Silicon - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 5
173-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 1
174-) Solid phase crystallized silicon thin film solar cells on temperature stable ZnO Al contact layers - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 1
175-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 2
176-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 3
177-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 1
178-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 2
179-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 5
180-) Structural and electrical properties of epitaxial Si layers prepared by E-beam evaporation - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 5
181-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 2
182-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 2
183-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 2
184-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 3
185-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 3
186-) Large Grained Polycrsytalline Silicon On Glass For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
187-) Solid phase crystallized silicon thin film solar cells on temperature stable ZnO Al contact layers - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
188-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
189-) Improvement Of Epitaxially Grown Poly Si Thin Film Solar Cells On Glass By Rapid Thermal Annealing - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
190-) The properties of Poly Si films grown on Zno Al coated borofloat glass by aluminum induced layer exchange ALILE process - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
191-) Advanced Concepts For Thin Film Polycrystalline Silicon Solar Cells - Atıf Yılı: 2008 Atıf Sayısı: 2
192-) Large Grained Polycrsytalline Silicon On Glass For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2008 Atıf Sayısı: 1
193-) Hydrogen Passivation Of Polycrystalline Si Thin Films By Plasma Treatment - Atıf Yılı: 2008 Atıf Sayısı: 1
194-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2008 Atıf Sayısı: 1

(E-2)

1-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 3
2-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2021 Atıf Sayısı: 1
3-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
4-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
5-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 2
6-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
7-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
8-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 3
9-) Influence of hydrogen plasma on the defect passivation of polycrystalline Si thin film solar cells - Atıf Yılı: 2016 Atıf Sayısı: 1
10-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 3
11-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
12-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
13-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
14-) Direct experimental determination of the spontaneous polarization of GaN - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 2
15-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 3
16-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
17-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
18-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 2
19-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
20-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
21-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2011 Atıf Sayısı: 1
22-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 2
23-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2010 Atıf Sayısı: 1
24-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1

(E-4)

1-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1

(E-5)

1-) Low-temperature epitaxy of silicon by electron beam evaporation - Atıf Yılı: 2022 Atıf Sayısı: 1

(E-6)

1-) Luminescence associated with stacking faults in GaN - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
2-) Semiconductor nanowires Materials, synthesis, characterization and applications III–V semiconductor nanowires: Nitrides (N-based; III-N) - Atıf Yılı: 2019 Atıf Sayısı: 1
3-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2018 Atıf Sayısı: 1
4-) Nucleation, Growth, and Bundling of GaN Nanowires in Molecular Beam Epitaxy: Disentangling the Origin of Nanowire Coalescence - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
5-) Macro- and micro-strain in GaN nanowires on Si(111) - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
6-) GaN/Fe core/shell nanowires for nonvolatile spintronics on Si - Atıf Yılı: 2017 Atıf Sayısı: 1
7-) Development of a rapid thermal annealing process for polycrystalline silicon thin-film solar cells on glass - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
8-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2015 Atıf Sayısı: 1
9-) Height self-equilibration during the growth of dense nanowire ensembles: Order emerging from disorder - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
10-) Inhomogeneous strain in GaN nanowires determined from x-ray diffraction peak profiles - Atıf Yılı: 2014 Atıf Sayısı: 1
11-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2013 Atıf Sayısı: 1
12-) Formation of High-Quality GaN Microcrystals by Pendeoepitaxial Overgrowth of GaN Nanowires on Si(111) by Molecular Beam Epitaxy - Atıf Yılı: 2012 Atıf Sayısı: 1
13-) Solid Phase Crystallization Of Amorphous Silicon On ZnO:Al For Thin Film Solar Cells - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1
14-) Polycrystalline Silicon Thin-Film Solar Cells On Glass - Atıf Yılı: 2009 Atıf Sayısı: 1

(F-2) Administered graduate dissertations

1-) Tez Adı: ON THE PERFORMANCE LIMITS FOR CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS: A THEORETICAL STUDY. Konu: ON THE PERFORMANCE LIMITS FOR CRYSTALLINE SILICON SOLAR CELLS: A THEORETICAL STUDY. MOATASEM ABDO MABKHOT-AL-SULTAN. 2020

(G-2) Being part of a project supported by international institutions (researcher, trainer, advisor, etc.)

1-) Proje Durum: Tamamlandı. Projedeki Görev: Bursiyer. Konu: . Proje Türü: Avrupa Birliği. Efficient and Cost-Effective InGaN Light Sources on Si substrates for Solid State Lightening. 2009-2014
2-) Proje Durum: Tamamlandı. Projedeki Görev: Bursiyer. Konu: . Proje Türü: Avrupa Birliği. Advanced Thin Film Technologies for Cost Effective Photovoltaics. 2005-2009

(G-3)

1-) Proje Durum: Tamamlandı. Projedeki Görev: Yürütücü. Konu: . Proje Türü: TÜBİTAK PROJESİ. Polikristal Silisyum Ince Film Güneş Gözelerinin Aktif Tabakasının Optoelektronik Özelliklerinin Fotoiletkenlik Yöntemleri ile İncelenmesi. 2015-2017

(G-4)

1-) Proje Durum: Devam Ediyor. Projedeki Görev: Danışman. Konu: . Proje Türü: TÜBİTAK PROJESİ. Güneş Enerjisi ile Şarj Edilebilir İnsansız Keşif Aracı. 2021--1
2-) Proje Durum: Tamamlandı. Projedeki Görev: Danışman. Konu: . Proje Türü: TÜBİTAK PROJESİ. Güneş Enerjisi ile Şarj Edilebilir Süperkapasitörlü Harici Batarya. 2019-2020
3-) Proje Durum: Tamamlandı. Projedeki Görev: Bursiyer. Konu: . Proje Türü: Kalkınma Bakanlığı. Applications of Magnetron Sputtered Thin Film Advanced Materials: Superconductor and Semiconductor Electronic Devices; Metal/Polymer Surface Coating. 2002-2005

(H-1)

1-) Patent Sahibi: F. Fenske, P. Dogan, S. Gall, B. Rech. “Influence of nitrogen for the improvement of thin-film solar cells”. 2011

(I-12)

1-) Fen Bilimleri Enstitü Müdür Yardımcısı. . . 2021
2-) Fen Bilimleri Enstitü Müdür Yardımcısı. . . 2020
3-) Fen Bilimleri Enstitü Müdür Yardımcısı. . . 2019
4-) Fen Bilimleri Enstitü Müdür Yardımcısı. Türkiye. . 2018
5-) Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölüm Başkanlığı. . . 2017
6-) Elektrik-Elektronik Mühendisliği Bölüm Başkanlığı. . . 2016

(I-8)

1-) İzmir Yoğun Madde Fiziği Toplantısı (YMF 2014). Türkiye. Türkiye. 2014

Courses

EEE 3504 2023-2024 Bahar

Introduction to Optics

EEE 4002 2023-2024 Bahar

Graduation Project

EEE 4506 2023-2024 Bahar

Optoelectronics

EEE5518 2023-2024 Bahar

Solar Cell Device Physics

EEE 2003 2023-2024 Güz

Electronics I

EEE 3001 2023-2024 Güz

Summer Practice I

EEE 4001 2023-2024 Güz

Summer Practice II

EEE 4002 2023-2024 Güz

Graduation Project

EEE 4005 2023-2024 Güz

Engineering Design

EEE 4513 2023-2024 Güz

Photovoltaic Energy Conversion

EEE5517 2023-2024 Güz

Semiconductor Device Physics

EEE 2006 2022-2023 Bahar

Electronics II

EEE 4002 2022-2023 Bahar

Graduation Project

EEE5518 2022-2023 Bahar

Solar Cell Device Physics

EEE 2003 2022-2023 Güz

Electronics I

EEE 3001 2022-2023 Güz

Summer Practice I

EEE 4003 2022-2023 Güz

Engineering Design

EEE5517 2022-2023 Güz

Semiconductor Device Physics